2DB1132Q-13 Diodes Incorporated
2DB1132Q-13 Diodes Incorporated
Изображение служит только для ознакомления. См. спецификацию продукта.
|
| Maximum Operating Temperature |
+ 150 C |
| Manufacturer |
Diodes Incorporated |
| Package/Case |
SOT-89-3 |
| Transistor Polarity |
PNP |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max |
- 32 V |
| Collector- Base Voltage VCBO |
- 40 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO |
- 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage |
- 125 mV |
| Gain Bandwidth Product fT |
190 MHz |
| Pd - Power Dissipation |
1000 mW |
| Minimum Operating Temperature |
- 55 C |
| Brand |
Diodes Incorporated |
| Configuration |
Single |
| DC Collector/Base Gain hFE Min |
120 |
| Factory Pack Quantity |
2500 |
| Height |
1.5 mm |
| Length |
4.5 mm |
| Maximum DC Collector Current |
- 1 A |
| Mounting Style |
SMD/SMT |
| Packaging |
Reel |
| Product Category |
Bipolar Transistors - BJT |
| Product Type |
BJTs - Bipolar Transistors |
| Qualification |
AEC-Q101 |
| RoHS |
Details |
| Series |
2DB11 |
| Subcategory |
Transistors |
| Technology |
Si |
| Unit Weight |
52 mg |
| Width |
2.48 mm |
Биполярный транзистор 2DB1132Q-13 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2DB1132Q-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2DB1132Q-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
 PDF
Запросить цену на 2DB1132Q-13 Diodes Incorporated
Вернуться назад
|
