2DA1213O-13 Diodes Incorporated
2DA1213O-13 Diodes Incorporated
Изображение служит только для ознакомления. См. спецификацию продукта.
|
Maximum Operating Temperature |
+ 150 C |
Manufacturer |
Diodes Incorporated |
Package/Case |
SOT-89-3 |
Transistor Polarity |
PNP |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max |
- 50 V |
Collector- Base Voltage VCBO |
- 50 V |
Emitter- Base Voltage VEBO |
- 5 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
- 0.5 V |
Gain Bandwidth Product fT |
160 MHz |
Pd - Power Dissipation |
1000 mW |
Minimum Operating Temperature |
- 55 C |
Brand |
Diodes Incorporated |
Configuration |
Single |
Continuous Collector Current |
- 2 A |
DC Collector/Base Gain hFE Min |
70 |
DC Current Gain hFE Max |
140 at 500 mA, 2 V |
Factory Pack Quantity |
2500 |
Height |
1.5 mm |
Length |
4.5 mm |
Maximum DC Collector Current |
- 2 A |
Mounting Style |
SMD/SMT |
Packaging |
Reel |
Product Category |
Bipolar Transistors - BJT |
Product Type |
BJTs - Bipolar Transistors |
RoHS |
Details |
Series |
2DA12 |
Subcategory |
Transistors |
Technology |
Si |
Unit Weight |
52 mg |
Width |
2.5 mm |
Биполярный транзистор 2DA1213O-13 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2DA1213O-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2DA1213O-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
PDF
Запросить цену на 2DA1213O-13 Diodes Incorporated
Вернуться назад
|